Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET -30 V / -9.2 A 2 W, 8-Pin SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
257-9330
Herst. Teile-Nr.:
IRF9358TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-9.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23.8mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das -30-V-Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Optimiert für 4,5-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Logikpegel)

Kann mit einer Gate-Antriebsspannung von 2,5 V betrieben werden (sog. Super-Logikpegel)

Geringere Konstruktionskomplexität bei Konfiguration mit hoher Seite

Einfachere Schnittstelle zum Mikrocontroller

Verwandte Links