Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
257-9311
Herst. Teile-Nr.:
IRF7470TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das 40-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Kann wellenförmig gelötet werden

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