Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 18 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 165-5716
Herst. Teile-Nr.:: IRF7842TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 18 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: IRF7842TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	18A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	SOIC
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5.9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	33nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	5mm
	Höhe	1.5mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4 mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße SOIC
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 5mm
	Höhe 1.5mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4 mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 18A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,5W maximale Verlustleistung - IRF7842TRPBF

Dieser MOSFET bietet hohe Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen. Mit Spezifikationen wie einem 18A-Dauer-Drain-Strom und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40V verbessert er die Energieeffizienz von elektronischen Geräten. Dieses für die Oberflächenmontage konzipierte Gerät gewährleistet eine lange Lebensdauer und eignet sich für Fachleute aus den Bereichen Elektronik und Automatisierung.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedriger Rds(on) bei 4,5 V verbessert die Effizienz

• Hohe Strombelastbarkeit optimiert die Leistungsabgabe

• Minimale Gate-Ladung reduziert Schaltverluste

• Lawinengeprüft für mehr Zuverlässigkeit

• N-Kanal-Konfiguration unterstützt effektive Leistung in Steuerungsanwendungen

Anwendungsbereich

• Verwendung in synchronen MOSFET-Schaltungen für die Stromversorgung von Notebook-Prozessoren

• Dient als sekundäre Synchrongleichrichtung in isolierten DC-DC-Wandlern

• Funktionen in nicht isolierten DC/DC-Wandler-Konzepten

Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur für dieses Gerät?

Er arbeitet effizient bis zu +150°C und gewährleistet Zuverlässigkeit in Hochtemperaturumgebungen.

Wie behandelt dieses Bauteil den Strom während des Betriebs?

Der Baustein unterstützt einen kontinuierlichen Drain-Strom von 18 A und eignet sich für verschiedene Anwendungen.

Kann es in Hochspannungsstromkreisen verwendet werden?

Ja, die maximale Drain-Source-Spannung ist auf 40 V ausgelegt, was Flexibilität für Hochspannungsanwendungen bietet.

Was sind die Eigenschaften des Wärmewiderstands?

Der Wärmewiderstand vom Übergang zur Umgebung beträgt in der Regel etwa 50-55°C/W, was eine effektive Wärmeableitung ermöglicht.

Ist dieser MOSFET mit der Oberflächenmontagetechnik kompatibel?

Ja, er ist in einem SOIC-Gehäuse erhältlich, das speziell für die Oberflächenmontage entwickelt wurde und die Integration in Schaltungsdesigns erleichtert.