Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 24 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 130-0967
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF8788TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- 130-0967
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF8788TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon
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MOSFET-Transistoren, Infineon
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