Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 20 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 165-5715
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7832TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 165-5715
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7832TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 155°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 155°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
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