Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 44 A 3.2 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 217-2614
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH8334TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 217-2614
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH8334TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.1nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.02mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.98 mm | |
| Höhe | 1.17mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.1nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.02mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.98 mm | ||
Höhe 1.17mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 30-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 5-mm-x-6-mm-PQFN-Gehäuse.
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Optimiert für 5-V-Gate-Ansteuerspannung (Logikebene genannt)
SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
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