Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 119 A 63 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 218-2973
Herst. Teile-Nr.:: BSC026N04LSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 119 A 63 W, 8-Pin TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 218-2973
Herst. Teile-Nr.:: BSC026N04LSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	119A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	OptiMOS
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.6mΩ
	Channel-Modus	N
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	45nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	63W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	5.35mm
	Höhe	1.2mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 119A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie OptiMOS
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.6mΩ
	Channel-Modus N
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 63W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 5.35mm
	Höhe 1.2mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC026N04LSATMA1

Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 119 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC026N04LSATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in oberflächenmontierten Systemen entwickelt wurde und eine kontrollierte Leitfähigkeit für die DC/DC-Umwandlung und ähnliche Leistungsmanagementaufgaben unter weiten Betriebsbedingungen bietet.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Drain-Source-Spannung unterstützt 40-V-Systembetrieb
• Sehr niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste bei 2,6 mΩ
• Kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine anhaltende Lastbelastung von 119 A
• Eine typische Gate-Ladung von 45 nC minimiert Schaltenergie und Verzögerung
• Die Verlustleistung ermöglicht eine thermische Handhabung von 63 W während des Betriebs
• Gate-Source-Beständigkeit bis zu 20 V für robuste Antriebsmarge

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen
• Ideal für Schaltstufen in Kraftfahrzeug-Leistungsmodulen
• Wird für Motor-Treiber-Halbbrücken verwendet, die einen geringen Leitungsverlust erfordern
• Kann für hocheffiziente synchrone Gleichrichtung verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromversorgungen

In welchem Temperaturbereich kann das Produkt zuverlässig betrieben werden?

Er ist spezifiziert für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C für erweiterte thermische Grenzen.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode werden für kompakte Designs verwendet?

Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf das Design der Leistungsstufe aus?

Bei der Berechnung der Leitungsverluste und der Auswahl der Gate-Treiber-Ebenen sollte die Durchlassspannung von 1 V berücksichtigt werden.

Welchen Kanal und welchen Leitungsmodus nutzt das Gerät?

Er verwendet einen N-Typ-Kanal, der im Enhancement-Modus für Standard-MOSFET-Schaltverhalten arbeitet.