Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 63 A 94 W, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 285-050
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC104N12LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 285-050
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- ISC104N12LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 94W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 94W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon ist ein erstklassiger Leistungstransistor, der für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad entwickelt wurde. Mit seinen erweiterten N-Kanal-Logikpegel-Eigenschaften zeichnet er sich durch einen sehr niedrigen Widerstand beim Einschalten aus und sorgt so für optimale Energieeinsparungen während des Betriebs. Das innovative SuperSO8-Gehäuse verbessert das Wärmemanagement und ist damit ideal für Hochfrequenz-Schaltaufgaben geeignet. Dieser Zustand der ART-Komponente verfügt über eine ausgezeichnete Gate-Ladeleistung, die die Verluste, die typischerweise in weniger anspruchsvollen Geräten auftreten, erheblich reduziert. Darüber hinaus garantiert die Einhaltung der RoHS- und halogenfreien Vorschriften ein Engagement für umweltfreundliche Technologie.
N-Kanal-Technologie für überlegene Leistung
Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leistungsverluste
Konzipiert für Hochfrequenzschaltungen
Entspricht den Industriestandards für Zuverlässigkeit
RoHS- und halogenfrei für Umweltfreundlichkeit
Bewältigt hohe Lawinenenergie für Robustheit
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Verbesserte thermische Eigenschaften für eine bessere Wärmeableitung
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