Infineon 600V CoolMOS P6 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 23.8 A 176 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 218-2999
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R160P6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-2999
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R160P6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS P6 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 176W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.21mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS P6 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 176W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.21mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V CoolMOS TM N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Die CoolMOS TM P6-Superjunction-MOSFET-Familie wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach zu gestalten. Die extrem niedrigen Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler.
Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
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