Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 114 A, 3-Pin IPB073N15N5ATMA1 TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-3031
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB073N15N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.12.97
Auf Lager
- Zusätzlich 2’460 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.2.594 | CHF.12.98 |
| 10 - 20 | CHF.2.342 | CHF.11.69 |
| 25 - 45 | CHF.2.184 | CHF.10.90 |
| 50 - 120 | CHF.2.027 | CHF.10.12 |
| 125 + | CHF.1.869 | CHF.9.35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3031
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB073N15N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 114A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.3mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 114A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.3mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS'5 N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS 5 150 V von Infineon sind besonders für Niederspannungsantriebe wie Gabelstapler und E-Scooter sowie Telekommunikations- und Solaranwendungen geeignet.
Ausgezeichnete gate-ladung x RDS(on) -Produkt (BFM)
Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)
Sehr niedrige Rückgewinnungsladung (Qrr)
175 °C Betriebstemperatur
Bleifreie Leitungsbeschichtung
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 114 A, 3-Pin TO 263
- Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 50 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 100 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 150 V / 105 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 80 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 150 V / 100 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 100 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
