Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 166 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-3027
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB027N10N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 218-3027
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- IPB027N10N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 166A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 166A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS TM 5 100-V-Leistungs-MOSFET. Er wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikationsblöcken einschließlich Or-ing, Hot-Swap und Batterie sowie für Servernetzteilanwendungen entwickelt.
Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)
N-Kanal, normale
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Pb-frei Beschichtung
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