Teile-Nr.

Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 166 A, 3-Pin IPB027N10N5ATMA1 TO-263

RS Best.-Nr.:: 218-3027
Herst. Teile-Nr.:: IPB027N10N5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 166 A, 3-Pin IPB027N10N5ATMA1 TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 218-3027
Herst. Teile-Nr.:: IPB027N10N5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	166A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	OptiMOS 5
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 166A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie OptiMOS 5
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ
	Channel-Modus N
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPB027N10N5ATMA1

Der Infineon OptiMOS TM 5 100-V-Leistungs-MOSFET. Er wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikationsblöcken einschließlich Or-ing, Hot-Swap und Batterie sowie für Servernetzteilanwendungen entwickelt.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

N-Kanal, normale

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Pb-frei Beschichtung

Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 166 A, 3-Pin IPB027N10N5ATMA1 TO-263

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