Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 166 A 187 W, 7-Pin IPB032N10N5ATMA1 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IPB032N10N5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

166A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.2mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

187W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

76nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der 100-V-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikationsblöcken einschließlich Or-ing, Hot-Swap- und Batterieschutz sowie für Server-Netzteilanwendungen entwickelt. Das Gerät hat einen niedrigeren RDS(on) von 22 % im Vergleich zu ähnlichen Geräten. Einer der größten Beiträge zu diesem branchenführenden FOM ist der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand, der das höchste Maß an Leistungsdichte und Wirkungsgrad bietet.

Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste

Weniger Parallelen erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Niederspannungsüberschreitung

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