Infineon 700V CoolMOSª P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 700 V / 8.5 A 6.9 W, 3-Pin IPN70R600P7SATMA1 SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:
IPN70R600P7SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

700V CoolMOSª P7

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.5nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

6.9W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.8mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.7mm

Breite

3.7 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 700-V-CoolMOS-N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Die neueste CoolMOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Schalt-Superjunction-MOSFET in Kombination mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und einem hohen Maß an Art und Benutzerfreundlichkeit.

Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrigen FOM RDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Integrierte ESD-Schutzdiode

Geringe Schaltverluste (Eoss)

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