Infineon 700V CoolMOSª P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 700 V / 8.5 A 6.9 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 218-3065
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R600P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | 700V CoolMOSª P7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.9W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie 700V CoolMOSª P7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.9W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.8mm | ||
Breite 3.7 mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 700-V-CoolMOS-N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Die neueste CoolMOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Schalt-Superjunction-MOSFET in Kombination mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und einem hohen Maß an Art und Benutzerfreundlichkeit.
Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrigen FOM RDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode
Geringe Schaltverluste (Eoss)
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