Infineon CoolMOS CSFD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 360 A 320 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 219-6016
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R024CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 219-6016
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R024CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 360A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CSFD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 183nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 320W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 360A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS CSFD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 183nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 320W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Breite 21.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS CFD7 Superjunction MOSFET IPW60R024CFD7 in 600 V ist ideal für resonante Topologien in Hochleistungs-SMPS, wie Server-, Telekommunikations- und EV-Ladestationen, geeignet, wo er erhebliche Effizienzverbesserungen ermöglicht. Als Nachfolger der CFD2 SJ MOSFET-Familie kommt es mit reduzierter Gate-Ladung, verbessertem Abschaltverhalten und bis zu 69 % reduzierter Rückgewinnungsladung im Vergleich zu Mitbewerbern.
Ultraschnelle Gehäusediode
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit
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