Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 220-7344
Herst. Teile-Nr.:: AUIRFP4110
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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125 +	CHF.3.707	CHF.92.77

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RS Best.-Nr.:: 220-7344
Herst. Teile-Nr.:: AUIRFP4110
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	45mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	370W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	150nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	15.87mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	5.31mm
	Breite	20.7 mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 370W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 15.87mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 5.31mm
	Breite 20.7 mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - AUIRFP4110

Diese HEXFET Leistungs-MOSFETs von Infineon AUIRFP4110 wurden speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt und nutzen die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Advanced Prozesstechnologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand

175 °C Betriebstemperatur

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Wiederholte Lawinen erlaubt bis zu Tjmax

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-247

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