Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 495-578
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4110PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 495-578
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4110PBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	150nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	370W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.66mm
	Höhe	9.02mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.82 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 370W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.66mm
	Höhe 9.02mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.82 mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 180A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 370W maximale Verlustleistung - IRFB4110PBF

Dieser MOSFET ist ein effizienter Leistungstransistor, der auf Anwendungen in der Automatisierungs-, Elektronik- und Elektroindustrie zugeschnitten ist. Die robuste Konstruktion und die präzisen Spezifikationen bieten eine vielseitige Lösung für Anwendungen, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind. Mit einem Enhancement-Mode-Design und einer N-Kanal-Konfiguration ist er für Hochgeschwindigkeits-Schaltvorgänge geeignet.

Eigenschaften und Vorteile

• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 180 A unterstützt hohe Leistung

• Drain-zu-Source-Spannungsbereich von 100 V ermöglicht eine Vielzahl von Anwendungen

• Niedriger RDS(on) von 4,5mΩ reduziert den Leistungsverlust und erhöht die Effizienz

• Eine Verlustleistung von bis zu 370 W gewährleistet Stabilität

• Verbesserte thermische Eigenschaften fördern die Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen

• Vollständige Charakterisierung der Lawinen- und dynamischen dv/dt-Robustheit fördert die Haltbarkeit

Anwendungsbereich

• Einsatz in hocheffizienter Synchrongleichrichtung für Stromversorgungen

• Geeignet für unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme

• Ideal für Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise

• Einsetzbar in hart geschalteten und hochfrequenten Schaltungen

Welches ist der geeignete Betriebstemperaturbereich für eine optimale Leistung?

Er arbeitet effektiv bei Temperaturen von -55°C bis +175°C und gewährleistet die Funktionalität in verschiedenen Umgebungen.

Wie minimiert der MOSFET den Energieverlust in Schaltkreisen?

Der niedrige RDS(on) von 4,5mΩ verringert die Leitungsverluste erheblich und ermöglicht einen effizienten Betrieb in der Leistungselektronik.

Kann es in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?

Ja, sein Design ermöglicht schnelle Schaltvorgänge, so dass er für Anwendungen geeignet ist, die schnelle Ein- und Ausschaltvorgänge erfordern.

Wie hoch ist der Wärmewiderstand für eine ordnungsgemäße Montage?

Der Wärmewiderstand zwischen Übergang und Gehäuse beträgt 0,402°C/W, während der Widerstand zwischen Gehäuse und Senke 0,50°C/W beträgt, was eine effektive Wärmeableitung ermöglicht.

Welche Lawineneigenschaften sind bei der Nutzung zu beachten?

Er unterstützt Einzelimpuls-Avalanche-Energiewerte, bietet Schutz gegen transiente Spannungsspitzen und gewährleistet Zuverlässigkeit beim Schaltungsdesign.