Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 124-8963
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4110PBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.343 | CHF 66.96 |
| 100 - 200 | CHF 1.232 | CHF 61.56 |
| 250 + | CHF 1.162 | CHF 58.23 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-8963
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4110PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 370W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.82mm | |
| Länge | 10.66mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 370W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.82mm | ||
Länge 10.66mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 180A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 370W maximale Verlustleistung - IRFB4110PBF
Dieser MOSFET ist ein effizienter Leistungstransistor, der auf Anwendungen in der Automatisierungs-, Elektronik- und Elektroindustrie zugeschnitten ist. Die robuste Konstruktion und die präzisen Spezifikationen bieten eine vielseitige Lösung für Anwendungen, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind. Mit einem Enhancement-Mode-Design und einer N-Kanal-Konfiguration ist er für Hochgeschwindigkeits-Schaltvorgänge geeignet.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 180 A unterstützt hohe Leistung
• Drain-zu-Source-Spannungsbereich von 100 V ermöglicht eine Vielzahl von Anwendungen
• Niedriger RDS(on) von 4,5mΩ reduziert den Leistungsverlust und erhöht die Effizienz
• Eine Verlustleistung von bis zu 370 W gewährleistet Stabilität
• Verbesserte thermische Eigenschaften fördern die Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen
• Vollständige Charakterisierung der Lawinen- und dynamischen dv/dt-Robustheit fördert die Haltbarkeit
Anwendungsbereich
• Einsatz in hocheffizienter Synchrongleichrichtung für Stromversorgungen
• Geeignet für unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme
• Ideal für Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise
• Einsetzbar in hart geschalteten und hochfrequenten Schaltungen
Welches ist der geeignete Betriebstemperaturbereich für eine optimale Leistung?
Er arbeitet effektiv bei Temperaturen von -55°C bis +175°C und gewährleistet die Funktionalität in verschiedenen Umgebungen.
Wie minimiert der MOSFET den Energieverlust in Schaltkreisen?
Der niedrige RDS(on) von 4,5mΩ verringert die Leitungsverluste erheblich und ermöglicht einen effizienten Betrieb in der Leistungselektronik.
Kann es in Hochfrequenzanwendungen eingesetzt werden?
Ja, sein Design ermöglicht schnelle Schaltvorgänge, so dass er für Anwendungen geeignet ist, die schnelle Ein- und Ausschaltvorgänge erfordern.
Wie hoch ist der Wärmewiderstand für eine ordnungsgemäße Montage?
Der Wärmewiderstand zwischen Übergang und Gehäuse beträgt 0,402°C/W, während der Widerstand zwischen Gehäuse und Senke 0,50°C/W beträgt, was eine effektive Wärmeableitung ermöglicht.
Welche Lawineneigenschaften sind bei der Nutzung zu beachten?
Er unterstützt Einzelimpuls-Avalanche-Energiewerte, bietet Schutz gegen transiente Spannungsspitzen und gewährleistet Zuverlässigkeit beim Schaltungsdesign.
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