Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 55 V / 62 A 91 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
220-7346
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFR48ZTRL
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

62A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

91W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.73 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.22mm

Höhe

2.39mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon AUIRFR48ZTRL wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er wird in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen eingesetzt.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Betriebstemperatur von 175 °C

Fast Switching

Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt

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