Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 75 V / 100 A, 3-Pin IPB100N08S2L07ATMA1

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IPB100N08S2L07ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon bietet eine breite Palette von N-Kanal-MOSFETs mit 75 V bis 100 V für den Einsatz in der Automobilindustrie mit der neuen OptiMOS-Technologie in verschiedenen Gehäusen, einem RDS(on)-Bereich von 1,2 m1x bis zu 190 MΩ durch die Reduzierung der CO2-Emissionen von Pkw, beschleunigt die 48-V-Platinennetzeinführung und damit die 48-V-ähnlichen Startergeneratoren (Hauptwechselrichter), Batterie Hauptschalter, DCDC-Wandler sowie 48-V-Hilfsbetriebe. Für diesen neuen Markt bietet Infineon ein breites Portfolio an Kfz-MOSFETs mit 80 V und 100 V, Die in verschiedenen Gehäusetypen wie TOLL (HSOF-8), TOLG (HSoG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) und S308 (TSDSON-8) untergebracht sind, um Lösungen für verschiedene Leistungsanforderungen sowie verschiedene Kühlkonzepte auf der Ebene der elektronischen Steuereinheit (ECU) zu bieten. Neben den 48-V-Anwendungen werden die 80-V- und 100-V-MOSFETs auch in LED-Beleuchtung, Kraftstoffeinspritzung sowie im Fahrzeug zum drahtlosen Laden eingesetzt.

N-Kanal-Logikpegel - Erweiterungsmodus

Kfz AEC Q101 zugelassen

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

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