Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 170 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7379
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB033N10N5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
CHF.2'050.00
Auf Lager
- Zusätzlich 1'000 Einheit(en) mit Versand ab 08. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | CHF.2.05 | CHF.2'048.28 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7379
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB033N10N5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS-Linear-FET ist ein revolutionärer Ansatz, um den Kompromiss zwischen dem Widerstand im eingeschalteten Zustand (R DS(on)) und der Fähigkeit im linearen Modus zu vermeiden - Betrieb im Sättigungsbereich eines erweiterten MOSFET. Er bietet den neuesten R DS(on) eines Trench-MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.
Kombination aus niedrigem R DS(on) und großem sicheren Betriebsbereich (SOA)
Hoher max. Impulsstrom
Hoher kontinuierlicher Impulsstrom
Robuster linearer Betrieb
Geringe Leitungsverluste
Höherer Einschaltstrom ermöglicht schnelleres Hochfahren und kürzere Ausfallzeiten Zeit
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 170 A, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 120 V / 70 A, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 75 V / 100 A, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 80 V / 180 A, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 150 V / 105 A, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 12 A, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 80 V / 120 A, 3-Pin TO-263