Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 170 A 179 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 220-7379
Herst. Teile-Nr.:: IPB033N10N5LFATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 170 A 179 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 220-7379
Herst. Teile-Nr.:: IPB033N10N5LFATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	170A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	OptiMOS 5
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	179W
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie OptiMOS 5
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 179W
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPB033N10N5LFATMA1

Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET und Diode, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 170 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPB033N10N5LFATMA1

Dieser MOSFET und die Diode sind oberflächenmontierte Leistungsgeräte, die für Hochstromschaltungen in anspruchsvollen thermischen Umgebungen ausgelegt sind. Er kombiniert ein N-Kanal-Enhancement-Gerät mit einer integrierten Diode in einem TO-263-Gehäuse und bietet eine kompakte Lösung für Leistungsumwandlungs- und Schaltaufgaben über einen breiten Temperaturbereich.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 100 V ermöglicht den Betrieb in Mittelspannungssystemen
• 3,3 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste bei hoher Belastung
• 170 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromanwendungen
• Die Verlustleistung von 179 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Die Durchlassdiodenspannung von 1,2 V minimiert Schaltverluste
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für die primäre Umschaltung der Server-Stromversorgung
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Wandlern
• Wird für Motorantriebs-Halbbrückenstufen verwendet
• Kann für Batteriemanagement-Hochstrompfade verwendet werden
• Wird mit DC/DC-Wandlern verwendet, die einen geringen Leitungsverlust erfordern

Welchen Umgebungstemperaturbereich kann er während des Betriebs bewältigen?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt.

Welches Gehäuse und welche Art der Montage sollten Entwickler planen?

Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplattenbaugruppen vorgesehen ist.

Wie eignet sich das Gerät für thermische Hochstromkonstruktionen?

Die Kombination aus einer Bemessungsstromstärke von 170 A und einer maximalen Verlustleistung von 179 W ermöglicht den Einsatz in Designs, bei denen eine erhebliche Wärmeübertragung durch Leiterplattenkupfer- und Wärmeleitpads erforderlich ist.

Welche Gate-Drive-Beschränkungen müssen beachtet werden?

Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um innerhalb sicherer Betriebsgrenzen zu bleiben.

Welche Leitungscharakteristik wirkt sich auf die Leistungsverlustberechnung aus?

Der niedrige Drain-Source-Widerstand von 3,3 mΩ ist der Schlüsselparameter für die Schätzung der Leitungsverluste bei Betriebsstrom.