Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 100 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 220-7426
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | CHF.1.071 | CHF.16.11 |
| 75 - 135 | CHF.1.019 | CHF.15.31 |
| 150 - 360 | CHF.0.977 | CHF.14.66 |
| 375 - 735 | CHF.0.935 | CHF.14.03 |
| 750 + | CHF.0.872 | CHF.13.06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7426
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 35mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5.15mm | |
| Breite | 5.9 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 35mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5.15mm | ||
Breite 5.9 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon bietet eine breite Palette von N-Kanal-MOSFETs mit 75 V bis 100 V für den Einsatz in der Automobilindustrie mit der neuen OptiMOS-Technologie in verschiedenen Gehäusen, einem RDS(on)-Bereich von 1,2 m. bis zu 190 m. die Reduzierung der CO2-Emissionen von Pkw beschleunigt die 48-V-Platinennetzeinführung und damit die 48-V-ähnliche Startergeneratoren (Hauptwechselrichter). Batterie Hauptschalter, DCDC-Wandler sowie 48-V-Hilfsgeräte. Für diesen neuen Markt bietet Infineon ein breites Portfolio an Kfz-MOSFETs mit 80 V und 100 V, Die in verschiedenen Gehäusetypen wie TOLL (HSOF-8), TOLG (HSoG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) und S308 (TSDSON-8) untergebracht sind, um Lösungen für verschiedene Leistungsanforderungen sowie verschiedene Kühlkonzepte auf der Ebene der elektronischen Steuereinheit (ECU) zu bieten. Die 80-V- und 100-V-MOSFETs werden neben 48-V-Anwendungen auch in LED-Beleuchtung, Kraftstoffeinspritzung sowie im Fahrzeug zum drahtlosen Laden eingesetzt.
Zwei N-Kanal-Logikpegel - Erweiterungsmodus
AEC Q101-zertifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS-konform)
100 % Lawinenprüfung
Dual Super S08 kann mehrere DPAK ersetzen, um erhebliche Einsparungen im Leiterplattenbereich und eine Senkung der Systemkosten zu erreichen.
Der Haftdraht ist 200 μm für bis zu 20 A Strom
Größerer Quellkabelrahmenanschluss für die Drahtverbindung
Gehäuse: PG-TDSON-8-4
Gleiche thermische und elektrische Leistung wie ein DPAK mit der gleichen Matrizengröße.
Freiliegendes Pad bietet ausgezeichnete Wärmeübertragung (variiert je nach Matrizengröße)
Zwei N-Kanal-MOSFETs in einem Gehäuse mit 2 isolierten Leitungen Rahmen
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