Infineon Doppelt CoolMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 100 V Erweiterung / 20 A 60 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:
IPG20N10S4L22ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Länge

5.15mm

Breite

5.9 mm

Höhe

1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Green Product (RoHS-konform)

MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert

OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen

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