Infineon Doppelt CoolMOS N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 100 V Erweiterung / 20 A 60 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
222-4680
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N10S4L22ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.9mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Länge

5.15mm

Höhe

1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Green Product (RoHS-konform)

MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert

OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen

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