Infineon CoolMOS P6 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 109 A 278 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 220-7456
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R099P6XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS P6 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 109 A 278 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 220-7456
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R099P6XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	109A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	CoolMOS P6
	Gehäusegröße	TO-247
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	99mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	900mV
	Maximale Verlustleistung Pd	278W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	70nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	5.21mm
	Länge	16.13mm
	Höhe	21.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 109A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie CoolMOS P6
	Gehäusegröße TO-247
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 900mV
	Maximale Verlustleistung Pd 278W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 5.21mm
	Länge 16.13mm
	Höhe 21.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPW60R099P6XKSA1

Die Cool MOS P6 Super Junction MOSFET-Familie von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach zu gestalten. Cool MOS P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf ultimative Leistung konzentrieren, und solchen, die sich mehr auf Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.

Geringere Gate-Ladung (Q g)

Höhere V des

Gute Robustheit der Gehäusediode

Optimierte integrierte R g.

Verbesserte dv/dt von 50 V/ns

Cool MOS TM-Qualität mit über 12 Jahren Fertigungserfahrung in Super-Junction-Technologie

Verbesserte Effizienz, insbesondere bei geringer Last

Bessere Effizienz in weichen Schaltanwendungen durch frühere Abschaltung

Geeignet für hart- und Soft-Switching-Topologien

Optimierte Balance zwischen Effizienz und Benutzerfreundlichkeit und guter Leistung Steuerbarkeit des Schaltverhaltens

Hohe Robustheit und bessere Effizienz

Hervorragende Qualität und Zuverlässigkeit

Infineon CoolMOS P6 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 109 A 278 W, 3-Pin TO-247

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