onsemi NTTFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 37.2 A 71.4 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6750
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS022N15MC
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.19.49
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 28. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.949 | CHF.19.47 |
| 100 - 240 | CHF.1.677 | CHF.16.79 |
| 250 + | CHF.1.454 | CHF.14.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 221-6750
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS022N15MC
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Serie | NTTFS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 71.4W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 3.4mm | |
| Breite | 0.8 mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Serie NTTFS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 71.4W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 3.4mm | ||
Breite 0.8 mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor-MOSFET für industrielle Anwendungen in einem 3,3 x 3,3 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und verbessert die Leitungsverluste.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
Verwandte Links
- onsemi NTTFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 37.2 A 71.4 W, 8-Pin WDFN
- onsemi NTTF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 150 A 83 W, 8-Pin PQFN
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 22 A 104 W, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 45 A 113 W, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 35 A 104 W, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 12 A 50 W, 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 40 A 125 W, 8-Pin WDFN
- onsemi NTTF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 84 A 100 W, 8-Pin PQFN