DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 407 mA 1.2 W, 3-Pin X1-DFN

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RS Best.-Nr.:
222-2845
Herst. Teile-Nr.:
DMN62D4LFB-7B
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

407mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

X1-DFN

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.2W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.22mm

Breite

1.04 mm

Länge

0.64mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

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