DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 0.9 A 890 mW, 3-Pin X1-DFN
- RS Best.-Nr.:
- 182-6892
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2450UFD-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 182-6892
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2450UFD-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Gehäusegröße | X1-DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 890mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.25 mm | |
| Höhe | 0.48mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMN | ||
Gehäusegröße X1-DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 890mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.25 mm | ||
Höhe 0.48mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, max. 1,0 V
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
ESD-geschütztes Gate
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Stromüberwachungsfunktionen
Batteriebetriebene Systeme und Halbleiterrelais
Lastschalter
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