DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 0.9 A 890 mW, 3-Pin X1-DFN

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
182-7197
Herst. Teile-Nr.:
DMN2450UFD-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

DMN

Gehäusegröße

X1-DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

890mW

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

1.25mm

Höhe

0.48mm

Breite

1.25 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, max. 1,0 V

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

ESD-geschütztes Gate

Vollständig bleifrei

halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät

Anwendungen

Stromüberwachungsfunktionen

Batteriebetriebene Systeme und Halbleiterrelais

Lastschalter

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