Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 9.4 A 6.3 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 222-4687
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4687
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.3W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.7mm | |
| Breite | 3.7mm | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.3W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.7mm | ||
Breite 3.7mm | ||
Höhe 1.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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