Teile-Nr.

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 6.3 W, 3-Pin IPN80R2K4P7ATMA1 SOT-223

RS Best.-Nr.:: 222-4689
Herst. Teile-Nr.:: IPN80R2K4P7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 6.3 W, 3-Pin IPN80R2K4P7ATMA1 SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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200 - 480	CHF.0.525	CHF.10.40
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RS Best.-Nr.:: 222-4689
Herst. Teile-Nr.:: IPN80R2K4P7ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	800V
	Gehäusegröße	SOT-223
	Serie	CoolMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	7.5nC
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Verlustleistung Pd	6.3W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.7mm
	Höhe	1.8mm
	Breite	3.7 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 800V
	Gehäusegröße SOT-223
	Serie CoolMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.5nC
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Verlustleistung Pd 6.3W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.7mm
	Höhe 1.8mm
	Breite 3.7 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPN80R2K4P7ATMA1

Das Infineon Design der Cool MOS TM P7-Serie setzt neue Maßstäbe in 800-V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit der neuesten Art der Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18 Jahre lang bahnbrechenden Super Junction Technologie-Innovation von Infineon ergibt.

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Integrierte ESD-Schutzdiode mit geringen Schaltverlusten (Eoss)

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 6.3 W, 3-Pin IPN80R2K4P7ATMA1 SOT-223

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