Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 6.3 W, 3-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.693.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 3’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.0.231CHF.693.00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
222-4688
Herst. Teile-Nr.:
IPN80R2K4P7ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

6.3W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.8mm

Breite

3.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.7mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design der Cool MOS TM P7-Serie setzt neue Maßstäbe in 800-V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit der neuesten Art der Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18 Jahre lang bahnbrechenden Super Junction Technologie-Innovation von Infineon ergibt.

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Integrierte ESD-Schutzdiode mit geringen Schaltverlusten (Eoss)

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Verwandte Links