Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 375 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4691
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP020N08N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.2.751 | CHF.5.49 |
| 10 - 18 | CHF.2.331 | CHF.4.67 |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4691
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP020N08N5AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 178nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 15.95 mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 15.95 mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Ableitungsklemmen fließt
Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
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