Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 10 A 50 W, 3-Pin TO-251

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222-4711P
Herst. Teile-Nr.:
IPSA70R450P7SAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

450mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.1nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.1mm

Länge

6.6mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Geringe Schaltverluste (Eoss)

Integrierte ESD-Schutzdiode

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

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