Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 84 A 170 W, 3-Pin IRF1010ESTRLPBF TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.14.28

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 60 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40CHF.1.428CHF.14.28
50 - 90CHF.1.355CHF.13.55
100 - 240CHF.1.302CHF.12.99
250 - 490CHF.1.239CHF.12.42
500 +CHF.1.155CHF.11.55

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4733
Herst. Teile-Nr.:
IRF1010ESTRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

84A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

170W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

86.6nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

9.65 mm

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Distrelec Product Id

304-39-411

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Advanced Prozesstechnologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten

Bleifrei, RoHS-konform

Verwandte Links