Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 84 A 170 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 222-4733P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1010ESTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 90 | CHF.1.273 |
| 100 - 240 | CHF.1.222 |
| 250 - 490 | CHF.1.172 |
| 500 + | CHF.1.091 |
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- 222-4733P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1010ESTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 84A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 86.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 84A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Advanced Prozesstechnologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten
Bleifrei, RoHS-konform