Infineon IMZ1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 26 A, 4-Pin IMZ120R090M1HXKSA1 TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.8.883

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 599 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.8.88
10 - 24CHF.8.43
25 - 49CHF.8.06
50 - 99CHF.7.72
100 +CHF.7.19

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4867
Herst. Teile-Nr.:
IMZ120R090M1HXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

IMZ1

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolSiC 1200 V, 90 mΩ SiC MOSFET im TO247-4-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiter-Prozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen.

Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste

Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V.

0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung

Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich

Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung

Verwandte Links