Infineon IMZ1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 56 A, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 222-4863
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4863
- Herst. Teile-Nr.:
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 56A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | IMZ1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 56A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie IMZ1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolSiC TM 1200 V, 30 mΩ SiC MOSFET im TO247-4-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen.
Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste
Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V.
0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung
Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich
Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung
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