Infineon IMW1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 36 A, 3-Pin IMW120R060M1HXKSA1 TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
IMW120R060M1HXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

IMW1

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

60mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolSiC TM 1200 V, 60 mΩ SiC MOSFET im TO247-3-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen.

Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste

Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V.

0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung

Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich

Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung

Temperaturunabhängige Abschaltverluste

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