Infineon IMW1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 36 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 222-4855
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW120R060M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.167.58
Auf Lager
- 30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.5.586 | CHF.167.45 |
| 60 - 60 | CHF.5.303 | CHF.159.11 |
| 90 + | CHF.4.967 | CHF.149.06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4855
- Herst. Teile-Nr.:
- IMW120R060M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | IMW1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie IMW1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolSiC TM 1200 V, 60 mΩ SiC MOSFET im TO247-3-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterprozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen.
Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste
Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V.
0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung
Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich
Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung
Temperaturunabhängige Abschaltverluste
Verwandte Links
- Infineon IMW1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 36 A, 3-Pin TO-247
- Infineon IMW1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 52 A, 3-Pin TO-247
- Infineon IMW1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 13 A, 3-Pin TO-247
- Infineon IMW1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 4,7 A, 3-Pin TO-247
- Infineon IMW1 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 52 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 36 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 34 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 52 A, 3-Pin TO-247