Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 36 A 150 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-3489
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMW120R060M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF 27.87
Auf Lager
- 227 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF 27.87 |
| 5 - 9 | CHF 26.48 |
| 10 - 24 | CHF 25.92 |
| 25 - 49 | CHF 24.24 |
| 50 + | CHF 22.56 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-3489
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMW120R060M1HXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Durchlassspannung Vf | 5.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 16.3mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 21.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Durchlassspannung Vf 5.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 16.3mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 21.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Infineon CoolSiC MOSFETs für die Kfz-Familie wurden für aktuelle und zukünftige On-Board-Ladegeräte und DC/DC-Anwendungen in Hybrid- und Elektrofahrzeugen entwickelt. Er hat 36 A Drain-Strom.
Effizienzverbesserung
Ermöglicht eine höhere Frequenz
Erhöhte Leistungsdichte
Reduzierung des Kühlaufwands
Verwandte Links
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 36 A 150 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 33 A 150 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 52 A 228 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Trench MOSFET Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1200 V Erweiterung / 150 A 20 mW EasyDUAL
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 70 A 273 W, 4-Pin PG-TO-247-4-U02
- Infineon IMW1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 36 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 69 A 326 W, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 22 A 133 W, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7