Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 33 A 150 W, 3-Pin AIMW120R080M1XKSA1 TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
AIMW120R080M1XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolSiC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

5.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

21.5 mm

Länge

16.3mm

Höhe

5.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon CoolSiC MOSFETs für die Kfz-Familie wurden für aktuelle und zukünftige On-Board-Ladegeräte und DC/DC-Anwendungen in Hybrid- und Elektrofahrzeugen entwickelt. Er hat einen Ableitstrom von 33 A.

Effizienzverbesserung

Ermöglicht eine höhere Frequenz

Erhöhte Leistungsdichte

Reduzierung des Kühlaufwands

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