Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 55 A 268 W, 4-Pin AIMZH120R040M1TXKSA1

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RS Best.-Nr.:
349-376
Herst. Teile-Nr.:
AIMZH120R040M1TXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-STD-NT6.7

Serie

CoolSiC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

50mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Maximale Verlustleistung Pd

268W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101, AEC-Q100

Ursprungsland:
CN
Der SiC-MOSFET von Infineon zeichnet sich durch eine erstklassige Schaltleistung, Robustheit gegenüber parasitären Einschaltvorgängen sowie einen verbesserten RDSon und Rth(j-c) aus. Hohe Leistungsdichte, überragender Wirkungsgrad, bidirektionale Lademöglichkeiten und eine erhebliche Reduzierung der Systemkosten machen ihn zur idealen Wahl für On-Board-Ladegeräte und DC-to-DC-Anwendungen.

Sehr geringe Schaltverluste

Klassenbeste Schaltenergie

Geringste Gerätekapazitäten

Sensor-Pin für optimiertes Schaltverhalten

Geeignet für HV-Kriechstromanforderungen

Dünnere Leitungen für ein geringeres Risiko von Lötbrücken

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