Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 202 A 750 W, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7
- RS Best.-Nr.:
- 349-372
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMZH120R010M1TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 202A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 178nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 750W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 202A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 750W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der CoolSiC-Serie von Infineon, 1200 V Drain-Source-Spannung, 202 A kontinuierlicher Drain-Strom – AIMZH120R010M1TXKSA1
Dieser N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET ist ein Leistungstransistor aus Siliziumkarbid, der für Hochspannungsschaltungen in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er ist für Anwendungen vorgesehen, die eine robuste thermische Leistung und eine hohe Spannungsfestigkeit erfordern und gleichzeitig eine herkömmliche Durchsteckmontage in einem PG-TO-247-4-Gehäuse unterstützen.
Merkmale und Vorteile:
• 1200-V-Ableitstrom ermöglicht den Betrieb von Hochspannungsschaltkreisen
• 202 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung hoher Stromlasten
• Niedrige Rds(on) von 11,3 mΩ zur Reduzierung der Leitungsverluste
• 750 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Nutzung mit hoher Leistung
• 178 nC Gate-Ladung, die eine kontrollierte Schaltdynamik ermöglicht
• Betriebsbereich von -55 bis 175 °C für extreme Temperaturbeständigkeit
• 202 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung hoher Stromlasten
• Niedrige Rds(on) von 11,3 mΩ zur Reduzierung der Leitungsverluste
• 750 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Nutzung mit hoher Leistung
• 178 nC Gate-Ladung, die eine kontrollierte Schaltdynamik ermöglicht
• Betriebsbereich von -55 bis 175 °C für extreme Temperaturbeständigkeit
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler in industriellen Systemen
• Ideal für Traktionsumrichterstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Verwendung mit Elektronik in Automobilqualität gemäß AEC-Q101
• Kann für Wechselrichtermodule für erneuerbare Energien verwendet werden
• Geeignet für Stromversorgungen in rauen thermischen Umgebungen
• Ideal für Traktionsumrichterstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Verwendung mit Elektronik in Automobilqualität gemäß AEC-Q101
• Kann für Wechselrichtermodule für erneuerbare Energien verwendet werden
• Geeignet für Stromversorgungen in rauen thermischen Umgebungen
Wie erfüllt das Gerät die Anforderungen an die Qualifizierung in der Automobilindustrie?
Er erfüllt anerkannte Stressprüfstandards für die Automobilindustrie, um den Anforderungen an die Zuverlässigkeit in der Fahrzeugelektronik gerecht zu werden.
Welche Befestigungsmethode sollten Entwickler planen?
Die Komponente verwendet ein PG-TO-247-4-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für eine sichere Befestigung der Leiterplatte und Kompatibilität mit Kühlkörpern.
Wie wirkt sich das Design des Gate-Antriebs auf das Schaltverhalten aus?
Die Entwickler sollten bei der Dimensionierung der Gate-Treiber eine typische Gate-Ladung von 178 nC berücksichtigen, um die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten zu erreichen und Verluste zu minimieren.
Welche Polarität und welche Leitungsart wird verwendet?
Er arbeitet als N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus und leitet, wenn eine positive Gate-Source-Spannung angelegt wird.
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