Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 22 A 133 W, 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7
- RS Best.-Nr.:
- 349-379
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMZH120R120M1TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 349-379
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMZH120R120M1TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 133W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 133W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der SiC-MOSFET von Infineon zeichnet sich durch eine erstklassige Schaltleistung, Robustheit gegenüber parasitären Einschaltvorgängen sowie einen verbesserten RDSon und Rth(j-c) aus. Hohe Leistungsdichte, überragender Wirkungsgrad, bidirektionale Lademöglichkeiten und eine erhebliche Reduzierung der Systemkosten machen ihn zur idealen Wahl für On-Board-Ladegeräte und DC-to-DC-Anwendungen.
Sehr geringe Schaltverluste
Klassenbeste Schaltenergie
Geringste Gerätekapazitäten
Sensor-Pin für optimiertes Schaltverhalten
Geeignet für HV-Kriechstromanforderungen
Dünnere Leitungen für ein geringeres Risiko von Lötbrücken
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