Infineon IMZ1 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 13 A, 4-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.6.405

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 198 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 4CHF.6.41
5 - 9CHF.6.09
10 - 24CHF.5.84
25 - 49CHF.5.57
50 +CHF.5.18

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4871
Herst. Teile-Nr.:
IMZ120R220M1HXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

IMZ1

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

220mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolSiC TM MOSFET 1200 V, 220 mΩ im TO247-4-Gehäuse baut auf einem hochmodernen Trench-Halbleiter-Prozess auf, der für eine Kombination von Leistung und Zuverlässigkeit optimiert ist. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-basierten Schaltern wie IGBTs und MOSFETs bietet der SiC MOSFET eine Reihe von Vorteilen. Dazu gehören die niedrigsten Gate-Ladung- und Gerätekapazitätswerte, die in 1200-V-Schaltern zu sehen sind, keine Rückgewinnungsverluste der internen, kommutierungssicheren Gehäusediode, temperaturunabhängige niedrige Schaltverluste und eine schwellenfreie Einschaltstatuscharakteristik.

Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste

Referenzspannung mit hohem Schwellenwert, Vth > 4 V.

0-V-Gate-Abschaltspannung für einfache und einfache Gate-Ansteuerung

Großer Gate-Quelle-Spannungsbereich

Robuste und verlustarme Gehäusediode für harte Kommutierung

Temperaturunabhängige Abschaltverluste

Treiberquellen-Pin für optimierte Schaltleistung

Verwandte Links