Infineon IPB60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 22 A, 3-Pin IPB60R099C7ATMA1 TO-263

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RS Best.-Nr.:
222-4893
Herst. Teile-Nr.:
IPB60R099C7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

22A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPB60R

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

99mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die 600-V-CoolMOS-C7-Superjunction-(SJ)-MOSFET-Serie von Infineon bietet eine ∼50 %-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum CoolMOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC-, TTF- und anderen Hartschalter-Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte.

Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E oss

Klassenbeste Leistung Q G*R DS(on)

Erhöhte Schaltfrequenz

Bestes R (on)*A der Welt

Robuste Gehäusediode

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