Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 28 A 169 W, 5-Pin ThinPAK
- RS Best.-Nr.:
- 222-4918
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL65R070C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.7.514 | CHF.15.03 |
| 10 - 18 | CHF.6.767 | CHF.13.52 |
| 20 - 48 | CHF.6.313 | CHF.12.63 |
| 50 - 98 | CHF.5.939 | CHF.11.88 |
| 100 + | CHF.5.484 | CHF.10.97 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4918
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL65R070C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 28A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | ThinPAK | |
| Serie | IPL60R | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 70mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 169W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße ThinPAK | ||
Serie IPL60R | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 169W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 8.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon CoolMOS TM C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.
Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse
Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss)
Niedrigere Gate-Ladung Qg.
Platzsparend durch den Einsatz kleinerer Gehäuse oder die Reduzierung von Teilen
12 Jahre Herstellerfahrung in der Superjunction-Technologie
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