Teile-Nr.

Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 28 A 169 W, 5-Pin IPL65R070C7AUMA1 ThinPAK

RS Best.-Nr.:: 222-4918
Herst. Teile-Nr.:: IPL65R070C7AUMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 28 A 169 W, 5-Pin IPL65R070C7AUMA1 ThinPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.14.616

Auf Lager

94 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	CHF.7.308	CHF.14.62
10 - 18	CHF.6.573	CHF.13.15
20 - 48	CHF.6.132	CHF.12.28
50 - 98	CHF.5.765	CHF.11.53
100 +	CHF.5.334	CHF.10.67

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 222-4918
Herst. Teile-Nr.:: IPL65R070C7AUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	28A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	ThinPAK
	Serie	IPL60R
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	5
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	70mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	64nC
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	169W
	Durchlassspannung Vf	0.8V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	8.1 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.1mm
	Länge	8.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße ThinPAK
	Serie IPL60R
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 5
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 169W
	Durchlassspannung Vf 0.8V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 8.1 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.1mm
	Länge 8.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPL65R070C7AUMA1

Die Infineon CoolMOS TM C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.

Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss)

Niedrigere Gate-Ladung Qg.

Platzsparend durch den Einsatz kleinerer Gehäuse oder die Reduzierung von Teilen

12 Jahre Herstellerfahrung in der Superjunction-Technologie

Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 28 A 169 W, 5-Pin IPL65R070C7AUMA1 ThinPAK

Verwandte Links