Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 81 W, 5-Pin ThinPAK

RS Best.-Nr.:: 222-4915
Herst. Teile-Nr.:: IPL60R185P7AUMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 81 W, 5-Pin ThinPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 222-4915
Herst. Teile-Nr.:: IPL60R185P7AUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	19A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	ThinPAK
	Serie	IPL60R
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	5
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	185mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	25nC
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	8.1 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.1mm
	Länge	8.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße ThinPAK
	Serie IPL60R
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 5
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 185mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 8.1 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.1mm
	Länge 8.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPL60R185P7AUMA1

Der Infineon 600V CoolMOS TM P7 ist der Nachfolger der 600V CoolMOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)

Integrierter Torwiderstand R G.

Robuste Gehäusediode

Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen

Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich

Infineon IPL60R Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 81 W, 5-Pin ThinPAK

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