Infineon IPP60R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 35 A 162 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4926
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R060C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.6.888 | CHF.13.79 |
| 10 - 18 | CHF.6.342 | CHF.12.67 |
| 20 - 48 | CHF.5.922 | CHF.11.86 |
| 50 - 98 | CHF.5.513 | CHF.11.03 |
| 100 + | CHF.5.103 | CHF.10.21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4926
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R060C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPP60R | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 162W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPP60R | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 162W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 4.57 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.45mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 600-V-CoolMOS-C7-Superjunction-(SJ)-MOSFET-Serie von Infineon bietet eine ∼50 %-ige Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum CoolMOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC-, TTF- und anderen Hartschalter-Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte.
Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E oss
Klassenbeste Leistung Q G*R DS(on)
Erhöhte Schaltfrequenz
Bestes R (on)*A der Welt
Robuste Gehäusediode
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