Infineon CoolMOSTM P7, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 26 W, 3-Pin PG-TO-220

RS Best.-Nr.:: 273-7459
Herst. Teile-Nr.:: IPAN60R180P7SXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOSTM P7, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 26 W, 3-Pin PG-TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 273-7459
Herst. Teile-Nr.:: IPAN60R180P7SXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	18A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	PG-TO-220
	Serie	CoolMOSTM P7
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.18Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	25nC
	Maximale Verlustleistung Pd	26W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße PG-TO-220
	Serie CoolMOSTM P7
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.18Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC
	Maximale Verlustleistung Pd 26W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPAN60R180P7SXKSA1

Infineons MOSFET der Cool-MOS-Plattform der 7. Generation ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies eingeführt wurde. Die 600 V Cool MOS P7-Serie ist der Nachfolger der Cool MOS P6-Serie. Das Produkt kombiniert die Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFETs mit hervorragender Benutzerfreundlichkeit, z. B. sehr geringer Klingelneigung, hervorragender Robustheit der Body-Diode gegen harte Kommutierung und ausgezeichneter ESD-Fähigkeit. Darüber hinaus machen extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste die Anwendungen noch effizienter, kompakter und wesentlich kühler.

Benutzerfreundlichkeit

Hervorragende ESD-Robustheit

Vereinfachtes Wärmemanagement

Deutliche Reduzierung des Schaltaufwands

Geeignet für hartes und weiches Schalten

Infineon CoolMOSTM P7, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 26 W, 3-Pin PG-TO-220

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